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Prozesskette

Die Prozesskette zeigt die Bearbeitungsschritte und ist exemplarisch für die aSi/µSi und CdTe-Technologie im Substrataufbau beschrieben (CIGS wird in umgekehrter Reihenfolge, d.h. in der Substratkonfiguration aufgebaut).

Frontkontaktbeschichtung: Ein Glassubstrat erhält eine transparente leitfähige Frontkontaktbeschichtung.

Laser Scribing P1

Der Laser Scriber strukturiert diese Beschichtung (Wellenlänge 355 nm oder 1064 nm, je nach Material des Frontkontaktes) durch das Glas hindurch.

Absorberbeschichtung: Auf das mit dem Frontkontakt beschichtete Substrat wird der Halbleiter aufgebracht.

Laser Scribing P2

Der Laser Scriber trägt  den Halbleiter selektiv mit einer grünen Wellenlänge (Wellenlänge 532 nm) durch das Glas und den Frontkontakt hindurch ab.

Beschichtung: Der Rückkontakt wird aufgebracht. Es entsteht eine leitende Verbindung zwischen Front- und Rückkontakt im P2 Kanal.

Laser Scribing P3

Der Laser Scriber strukturiert selektiv den Halbleiter und den Rückkontakt (Wellenlänge 532 nm) durch das Glas und den Frontkontakt hindurch. Benachbarte Zellen sind nun im Front- und Rückkontakt elektrisch voneinander getrennt und über den Kontakt von Front- und Rückkontakt im P2 Kanal seriell miteinander verbunden.

Randentschichtung mit dem Laser sichert eine zuverlässige Isolation der Module nach außen und bereitet das Modul für die Verkapselung vor.

Prozesskette
Laser Scribing - Schema
Bei der Absorberbeschichtung, insbesondere bei der CdTe und CIGS-Technologie werden extrem hohe Temperaturen verwendet, so dass auf den großen Substraten erhebliche thermische Verformungen auftreten. Für eine hohe Modulleistung ist entscheidend, dass die Laser Scriber die resultierenden gebogenen P1 bzw. P2 Linien und gewölbten Substraten erkennen und bei den nachfolgenden Strukturierungen kompensieren können. Die LPKF SolarQuipment Allegro Laser Scriber sind mit Mechanismen ausgestattet, die diese Verformungen automatisch kompensieren und damit eine hohe Modulleistung sicherstellen.
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